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周四发布的一份行业报告显示，全球DRAM芯片需求预计最早将在7月超过供应，这一变化将减轻因芯片低迷而陷入困境的半导体公司的压力。市场研究公司集邦咨询在其5月报告中预计，今年全球DRAM需求预计将超过1054亿片，超过预估的1043亿片的供应量。在4月的报告中，该公司曾预计今年DRAM年供应量为1550亿片，需求为1460亿片，预计芯片供应过剩将继续损害全球芯片制造商的利润。存储芯片部分需求出现急单5月24日，据台媒经济日报报道，存储厂商华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温，工控相关接单也持续发烫，客户急单涌入，而且“量也不少”。DRAM厂商南亚科表示，今年一季度是产业库存高点，在需求与供应端改善下，库存正逐步去化，预期本季DRAM市况有望落底，公司在部分应用领域已出现急单。威刚则认为，4月底存储芯片供应商减产态度明确后，DRAM现货价已落底，有助强化第2季及下半年营运稳健发展的动能。目前看来，下游库存接近健康水位。

头部原厂的出货量也好转。据Pulse News报导，多位半导体和证券业人士透露，三星本季DRAM出货量估季增15%至20%，扭转首季季减10%左右颓势。SK海力士本季出货量季增率估成长30%至50%，远高于市场共识的20%，透露DRAM市场氛围已改变。芯片业库存水准预计将在下半年回稳。集邦预测，三星、SK海力士及美光等三大存储制造商的库存天数，将在第4季降至平均13周，少于第1季的平均16周。TrendForce近期已调整了今年存储芯片供应过剩率预估值：其中，将DRAM预估值从此前的0.9%调整至-1%，将NAND Flash预估值从3%调降为-0.5%——正值意为供过于求，负值则为相反。这或许也意味着，今年DRAM与NAND Flash有望实现供需平衡甚至轻微供不应求。原本业界普遍预期，DRAM市况要到下半年才会逐步复苏，随三星、SK海力士本季出货季成长率优于预期，后续预计有更多厂商接续感受到市况回温。市场分析师把产业氛围转变，归因于业界从去年开始持续降低库存。此外，最近智能手机和服务器业者对供应合约的洽询数量已增加，且高频宽记忆体（HBM）和DDR5等高附加价值的DRAM需求成长，似乎帮助景气复苏。DDR5等高附加价值产品的价格下跌趋势似乎也已停滞。集邦最近上调本季的伺服器用32GB DDR5平均固定交易价格预测，从75美元调高到80至90美元，反映DDR5相较于DDR4的需求仍高。三星证券指出，用于AI伺服器的128GB DDR5价格，比64GB DDR4高出十倍，而且订单持续增加，高频宽记忆体的需求也热络。基于目前供需关系，有分析师进一步指出，行业景气度位于底部区域，今年下半年需求有望触底回升。不过，TrendForce之前另一篇报告曾表示，由于DRAM及NAND Flash供应商减产不及需求走弱速度，部分产品第二季均价季跌幅有扩大趋势。如今SK海力士提高出货量、三星减产未久再度增加出货，是否会导致行业供需出现变化还有待观察。

存储周期底部企稳，龙头减产加速行业修复按产品种类分，存储市场主要分为 DRAM、NAND、NOR Flash，其中 DRAM占据主要的市场规模。DRAM 供给格局头部化效应明显，韩系厂商占据主要份额。根据Trendforce，22Q4 全球前三大 DRAM 厂商分别为韩国三星、韩国海力士与美国美光，三家厂商市占率合计为 95.8%。NAND 竞争格局较 DRAM 分散，三星仍占据龙头地位；NOR Flash 龙头主要为台系与陆系厂商，兆易创新排名全球第三。而从行业整体来看，存储芯片行业或已周期触底，即将迎来上升周期。德邦证券指出以波谷算，存储行业周期约为 3-3.5 年，目前处于周期筑底阶段。相较于半导体其它行业，存储芯片具有大宗商品属性，国际龙头会在下游新兴需求诞生时提升自身产能；而当扩产落地时，行业进入供过于求周期，各厂商则会通过降价进行库存去化。供给与需求的错配使得存储行业具更强的周期性。可以看到，在13Q2、16Q1、19Q3 左右，行业龙头合计营收增速处于周期谷底，对应增速分别为-7%、-29%、-38%。若以谷底计算，存储行业周期约为 3-3.5 年。22Q4，行业龙头合计营收增速为-44%，处于筑底阶段。若以三年计算，本轮下行周期预计在23Q3 前后结束。从价格看，反映 DRAM 价格的 DXI 指数已接近 2020 年低值，目前行业价量齐跌。从 22Q1 开始，DXI 指数进入下行通道，指数有 41712 跌至 23Q1 的 22199，目前价格指数已接近 2020 年年初的水平。而伴随国际各龙头厂商的减产，存储行业后续有望反转向上。目前，三星、海力士等存储龙头大都宣布下调未来产量与资本开支额。其中，海力士 23 年资本支出同比减少50%以上；美光宣布将所有DRAM和NAND晶圆产量减少约20%，德邦证券预计行业有望于 23Q2逐渐企稳，23Q3 逐步完成库存去化，23Q4 迎来周期反转。国产替代全面进行时根据ICInsights的统计信息，2021年全球存储市场份额基本被六大公司所垄断，具体份额如下：DRAM市场：第一名、三星（韩国），市场份额为43.6%；第二名、SK海力士（韩国），市场份额为27.7%；第三名、美光（美国），市场份额为22.8%。三家公司合计占有94.1%的市场份额，可以说非常集中。

NAND 市场：第一名、三星（韩国），市场份额为34%；第二名、铠侠（日本），市场份额为19%；第三名、西部数据（美国），市场份额为14%；第四名、美光（美国），市场份额为11%；第五名、SK海力士（韩国），市场份额为11%；第六名、英特尔（美国），市场份额为9%。六家公司合计掌握了98%的市场份额，同样非常集中。表面看起来，我们对这些公司依赖非常严重，但实际上，在存储芯片领域，国产替代已经全面开启，美光就是最好的例子。其空下的市场，将会全部由内地公司取代，技术实力强大的长江存储将会迅速扩大市场，带动整个国内产业链。上游设备、材料商，中游设计、制造、封测商，下游应用商将快速进行一次大规模的国产替代。最为关键的是，此次国产替代以国家意志为主导，配合相关补贴、减税等政策，为整个行业带来全新的变化。存储芯片打响了第一枪，逻辑芯片、手机SoC、电脑CPU、GPU还远吗？